瑞萨选择Soitec衬底作为其超薄而均匀的活性层,该衬底是目前在大批量生产的薄晶硅(SOI)下最薄埋氧化物(BOX)。 由于使用了Soitec衬底,瑞萨SOTB芯片组可以增强对晶体管静电的控制,并将待机和有效电流降低到前所未有的水平。 此外,瑞萨还成功交付了无障碍通道,以抑制超低电压操作的Vth变化,以及超低功率反偏置控制,同时降低待机电流。
Soitec数字电子业务部执行副总裁Christophe Maleville表示: “Soitec与瑞萨团队在SOTB技术开发方面的紧密合作进一步表明全耗尽设备将彻底改变我们的日常生活。我们很高兴能成为瑞萨SOTB系列产品中的一员。我们也期待在推动超低功率设备创新这个生态系统成长方面贡献自己的绵薄之力。”
瑞萨工业解决方案业务部家庭业务部副总裁Toru Moriya先生表示:“为了推动物联网和消费应用的创新,我们将我们独有的能量收集技术SOTB集成到我们的能量收集控制器中。我们相信,基于Soitec超薄衬底的瑞萨SOTB技术可以为开发无需电源供应和更换的免维护物联网设备提供无与伦比的性能,从而促进基于端点智能的全新物联网市场的发展。”
注:文中图片均来自瑞萨官方网站
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